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SVG及APF中SiC碳化硅MOSFET逐漸取代IGBT

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2024-06-10  瀏覽次數(shù):12
核心提示:為什么在電能質(zhì)量裝置SVG及APF中SiC碳化硅MOSFET逐漸取代IGBT!使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電能質(zhì)量裝置SVG及AP
 為什么在電能質(zhì)量裝置SVG及APF中SiC碳化硅MOSFET逐漸取代IGBT!
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電能質(zhì)量裝置SVG及APF!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT電能質(zhì)量裝置SVG及APF,實(shí)現(xiàn)更高的電能質(zhì)量裝置SVG及APF補(bǔ)償無功與治理諧波質(zhì)量!更小的電能質(zhì)量SVG及APF裝置體積重量!更低的電能質(zhì)量SVG及APF裝置成本!
 
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!
 
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類電能質(zhì)量裝置SVG及APF,比如加強(qiáng)型靜止無功發(fā)生器 (SVG+),有源電力濾波器 (APF)等。
 
無功發(fā)生器SVG電網(wǎng)無功補(bǔ)償:響應(yīng)電網(wǎng)調(diào)度AVC指令,提供無功支撐;提高功率因數(shù):監(jiān)測考核點(diǎn)功率因數(shù),通過容性無功功率與感性無功功率相互抵消的原理,實(shí)現(xiàn)無功補(bǔ)償,提高功率因數(shù);穩(wěn)定電網(wǎng)電壓:監(jiān)測電網(wǎng)電壓,容性輸出抬高系統(tǒng)電壓和感性輸出拉低系統(tǒng)電壓等方式,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定電網(wǎng)電壓;諧波治理:監(jiān)測負(fù)載電流,提取負(fù)載電流的諧波成分,控制SVG輸出諧波電流大小相等、方向相反的諧波電流注入到電網(wǎng)中,實(shí)現(xiàn)諧波治理;三相不平衡補(bǔ)償:監(jiān)測負(fù)載電流,利用對稱分量法將負(fù)荷電流分解成正序分量和負(fù)序分量,控制SVG發(fā)出負(fù)序電流大小相等方向相反的電流注入電網(wǎng),實(shí)現(xiàn)三相不平衡補(bǔ)償;電壓波動與閃變治理:監(jiān)測電網(wǎng)電壓波動,快速響應(yīng)無功支撐,實(shí)現(xiàn)電壓波動與閃變治理。
有源電力濾波器APF通過采集電流諧波,對網(wǎng)側(cè)諧波進(jìn)行傅立葉分解,確定各次的諧波分量情況,以最快速度發(fā)出電流命令,并通過功率執(zhí)行器件產(chǎn)生與諧波源諧波電流方向相反幅值相等的補(bǔ)償諧波電流,并注入系統(tǒng),達(dá)到抵消非線性負(fù)荷所產(chǎn)生的諧波電流。不但可隔離和消除來自負(fù)載側(cè)的諧波電流,進(jìn)而消除因諧波電流耦合在線路上的諧波電壓,減少電流和電壓諧波干擾帶來的危害。此外,系統(tǒng)還可針對無功和三相不平衡發(fā)出相應(yīng)的工頻電流,與系統(tǒng)中存在的無功電流和不平衡電流進(jìn)行疊加,消除系統(tǒng)的無功和不平衡電流,達(dá)到綜合電能質(zhì)量治理的目的。
傳統(tǒng)的靜止無功發(fā)生器(SVG)有源電力濾波器 (APF)通常采用IGBT作為功率器件,其IGBT開關(guān)損耗大、IGBT開關(guān)頻率較低,輸出濾波器和散熱器體積較大,限制了其功率密度和效率的提高?;竟維iC碳化硅MOSFET單管及模塊的開關(guān)頻率可達(dá)IGBT的兩倍以上,且能承受更高的結(jié)溫,使SVG及APF器件的效率和功率密度可進(jìn)一步提高。從SVG及APF拓?fù)?、開關(guān)頻率、功率器件損耗、器件成本、濾波器、散熱器等角度對SVG及APF進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊的SVG及APF,采用兩電平交錯式作為功率拓?fù)?,采用單電感濾波器作為濾波器,其等效開關(guān)頻率可達(dá)100 kHz?;竟維iC碳化硅MOSFET單管及模塊為常規(guī)IGBT電能質(zhì)量裝置的一半左右,功率密度為1.35kVar/L,是常規(guī)常規(guī)IGBT電能質(zhì)量裝置的兩倍左右;樣機(jī)峰值效率高達(dá)99.2%,滿載效率最高可達(dá)99%。
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™I型三電平IGBT模塊,BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™混合SiC-IGBT單管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機(jī),儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機(jī)、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機(jī)驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動,AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù),以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化,以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品,包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,大容量RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,國產(chǎn)氮化鎵GaN,隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè),新能源汽車電控系統(tǒng),電力電子裝備,新能源汽車充電樁系統(tǒng),全液冷超充,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,歐標(biāo)充電樁,車載DCDC模塊,國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器,分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲,智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用,傾佳電子(Changer Tech)為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實(shí)現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn),邁向數(shù)字能源新時代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!
 
 
 
 
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