使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT伺服驅(qū)動器，實現(xiàn)更高的伺服驅(qū)動器性能和效率！更小的伺服驅(qū)動體積和重量！更低的伺服驅(qū)動器成本！

 

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類伺服驅(qū)動器，比如機器人、數(shù)控機械或工業(yè)自動化等應用。

 

伺服驅(qū)動器是一類通過控制伺服電機電磁場將電能轉(zhuǎn)化為機械能，達到對伺服電機及負載進行精確的轉(zhuǎn)矩、速度、位置閉環(huán)控制的設備。永磁同步電機（Permanent Magnetic Synchronous Motor， PMSM）是一種性能優(yōu)越且應用廣泛的伺服電機類型。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器降低耗電量，讓工業(yè)生產(chǎn)更加環(huán)保、可持續(xù)。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器實現(xiàn)更高功率密度，通過比IGBT更小的器件達到相同性能，來實現(xiàn)更經(jīng)濟的伺服電機設計。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器實現(xiàn)更緊湊、更省空間的電機設計，減少材料消耗，降低散熱需求。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動器擁有更長使用壽命，且不易出故障，使得制造商能夠提供更長的保修期。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊代替 IGBT 作為逆變器的核心功率器件進行集成伺服電機設計。與 IGBT 相比，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊具有非常低的開關損耗和低傳導損耗。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊可以位于電機外殼內(nèi)，并可以通過自冷卻金屬外殼實現(xiàn)相當大的功率輸出。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅(qū)動器堵轉(zhuǎn)工況的電流控制、結(jié)溫控制，是可以進行計算和仿真，給出計算和仿真數(shù)據(jù)給控制系統(tǒng)，作為限流控制、保護邏輯的設計參考，基本公司可以提供這項服務。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅(qū)動器堵轉(zhuǎn)工作的大致過程是，伺服電機在堵轉(zhuǎn)時候，位置信號不變，逆變器的輸出角度不再變化，此時會出現(xiàn)逆變器三相輸出都是直流的情況，此時不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場，伺服電機的繞組感抗為0，只有線路電阻存在（電阻非常小，一般毫歐級），如果還是按照比較大的占空比去控制，就會在三相之間產(chǎn)生非常大的堵轉(zhuǎn)電流。這時候從控制角度，就要控制上下管占空比接近0.5，避免過大的電流產(chǎn)生。

所以，從控制角度，1、一定要嚴格控制好堵轉(zhuǎn)時刻的占空比，根據(jù)輸出電流檢測反饋實時調(diào)節(jié)，避免過大電流引起基本公司SiC碳化硅MOSFET過熱損傷。2、輸出過流保護要加上，因為相間過流近似二類短路，不一定會使基本公司SiC碳化硅MOSFET完全退飽和，需要通過輸出電流傳感器檢測電流進行過流比較判斷，封鎖脈沖。3、驅(qū)動芯片退飽和檢測和保護功能是必須要加上的，短路保護全響應時間根據(jù)基本公司SiC碳化硅MOSFET的短路耐受能量設計。

 

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術創(chuàng)新為導向，將不斷創(chuàng)新技術和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創(chuàng)新為導向的各類功率半導體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻，邁向數(shù)字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!